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포토마스크 2

반도체 산업에 대해 알아보자 (8)

《 반도체 산업에 대해 알아보자 (8) 》 ​지난 시간까지 했던 내용을 간단하게 되짚어보자. (아래 그림의 회색 점선 부위) ⓛ Si Wafer를 준비한다. ② Si Wafer 한쪽을 산화 시켜 이산화 규소(SiO2)층을 만든다. ③ SiO2층 위에 Photo Resist(PR)를 도포한다. PR은 이후 에칭공정에서 남아 있어야 할 SiO2를 보호하는 목적이다. ④ Wafer에 Mask를 Align시켜 원하는 부위 PR을 자외선(UV)에 노광준비를 한다. ⑤ Mask에서 일부 빛이 PR로 노광이 되면 빛은 받은 PR은 화학적으로 물성이 변한다. PR의 종류는 Positive와 Negative 2종류가 있는데 여기서는 Negative PR을 예로 설명하겠다. (이에 대한 설명은 반도체 연재 7을 참조) M..

반도체 산업에 대해 알아보자 (7)

《 반도체 산업에 대해 알아보자 (7) 》 산화공정을 마친 실리콘 웨이퍼는 포토와 식각 공정을 거쳐 산화된 실리콘에서 필요한 부분을 제거한다. 이번 시간은 포토 공정만을 간단히 살펴보자. 포토(Photo) 공정은 사진공정이라고 하는데 이후 식각공정에서 사용될 산성(Acid)액으로 부터 실리콘 옥사이드를 보호하기 위해 필수적인 공정이다. 포토 공정에서 먼저 감광액을 산화가 된 웨이퍼 위에 도포(Deposition)을 하고 건조를 한다. 감광(感光液)액이란 말속에도 들어 있듯이 자외선 같은 빛에 닿으면 반응하여 화학적인 구조가 변하는 액체를 말한다. 일반적으로 Monomer 성분이 자외선을 받게 되면 감광액 속에 Initiator(개시자)가 들어 있어 Monomer를 자극하게 되고 이것이 소위 말하는 연쇄작..

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