《 반도체 산업에 대해 알아보자 (8) 》 지난 시간까지 했던 내용을 간단하게 되짚어보자. (아래 그림의 회색 점선 부위) ⓛ Si Wafer를 준비한다. ② Si Wafer 한쪽을 산화 시켜 이산화 규소(SiO2)층을 만든다. ③ SiO2층 위에 Photo Resist(PR)를 도포한다. PR은 이후 에칭공정에서 남아 있어야 할 SiO2를 보호하는 목적이다. ④ Wafer에 Mask를 Align시켜 원하는 부위 PR을 자외선(UV)에 노광준비를 한다. ⑤ Mask에서 일부 빛이 PR로 노광이 되면 빛은 받은 PR은 화학적으로 물성이 변한다. PR의 종류는 Positive와 Negative 2종류가 있는데 여기서는 Negative PR을 예로 설명하겠다. (이에 대한 설명은 반도체 연재 7을 참조) M..
